Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Автор	К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов
Год выпуска	2014
Издатель	Бином. Лаборатория знаний
ISBN	978-5-9963-0633-6
Цена	349 руб.

Купить "Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения"